在全球DRAM市佔率拿下48%的三星電子，是這一波DRAM大漲的主要推手，不少相關業者更認為，今年DRAM將缺貨一整年，有機會一路漲到下半年，不過就在此時，三星卻傳出將大舉擴產的消息，新生產線預計2年後投產，再度為DRAM榮景投下變數，也因此接下來的價格漲勢也恐將受到影響。根據韓國媒體BusinessKorea報導，三星電子決定砸下10兆韓圜(約台幣2700億元)，擴充南韓華城廠(Hwaseong)的DRAM產能。三星人員表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，決定生產18奈米製程DRAM，或更先進製程的DRAM。BusinessKorea指出，半導體市場變化快速，新廠生產商品常到落成時才拍板定案。以三星華城廠17號線為例，此一產線原本預定製造系統半導體，但是後來改用於生產記憶體。三星也在南韓平澤廠(Pyeongtaek)竣工後，才決定平澤廠六月啟用時，將生產NAND Flash。三星電子代表說，三星DRAM的毛利率超過45%，儘管三星產品售價高，但是由於品質出眾，優於競爭對手，在市場供不應求。三星是記憶體霸主，去年在全球DRAM市佔高達48%。Bernstein報告稱，要是DRAM獲利提高到誘人地步，三星可能會增產，一如該公司在2014、2015年所做。他們估計，三星DRAM毛利將拉高至58~59%的高點，類似2014/15年，屆時三星應會在17號產線或新落成的平澤廠等閒置廠房增加產能，如此一來，市場將從供不應求，轉為平衡，甚至在2017年中或年末時，演變為供給過剩。另外，報告中也指出，今年下半NAND Flash供給將轉為寬鬆，主因48層NAND製程加速轉往64層，3D NAND Flash良率好轉，出貨量大增，而且三星平澤(Pyeongtaek)廠也啟用投產。與此同時，金士頓等模組廠的庫存增加至6~8週水位，打算趁著蘋果iPhone 8下單NAND Flash時，向市場售出推升營收。（楊喻斐／台北報導）

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